지난글에서는 반도체의 소재인 실리콘의 결정 구조와 이와 관련된 다양한 용어에 대해 알아보았다.
이번 글에서는 전자와 정공(Hole)에 대해 공부해보려 한다.
정말 정말 정말 중요한 개념이다.
반도체 공부의 시작의 시작의 시작의 시작을 담당하는 개념이다.
지난 글에서 보았던 실리콘의 결정구조 그림을 다시 가져와 보겠다.
불순물이나 결함이 없는, 완벽히 실리콘으로만 이루어졌다고 가정하자.
절대 영도(0K)의 환경에서 실리콘 결정 속 전자들은 모두 실리콘 원자핵에 속박된 상태다.
즉, 전자들이 움직일 수 없다는 것이다.
그러니까... 전류가 흐를 수가 없다.
하지만! 우리가 살고 있는 이 세계는 절대 영도가 아니지 않은가?!
상온에서는 이 실리콘 원자 간의 공유 결합이 완전히 유지되지 못하고 조금은 깨져버린다.
이렇게 공유 결합에서 탈출한 전자들은 언제든 움직일 수 있는 상태가 된다.
그렇게 전자가 원래 있던 자리는 비게 되는데, 이 자리를 Hole(정공) 이라고 한다.
별 거 아니다. 그냥 전자의 빈 자리다.
위 그림을 참고하면 이해가 쉽다.
그런데 이 Hole이라는게, 반도체에서의 현상을 설명할 때 꽤나 많이 쓰인다.
전자가 원래 자리에 잘 있는 상태는 전기적으로 중성을 띤다.
전자는 전기적 음극을 띤다.
그럼.. 전자가 있던 공간은 전기적 양극을 띤다고 할 수 있는 거 아닌가?! (오)
이런 식으로 전자가 있던, 비어버린 공간을 전기적 양성을 띤 어떠한 가상의 입자로 받아들임으로써
전자의 움직임이 띠는 양상의 반대로 이해할 수 있게 된거다.
반도체에서 일어나는 여러 현상들을 전자 이동 현상으로만 설명하지 않고,
Hole의 이동으로도 설명할 수 있게 되었다는 이야기다.
예를 들어보자.
외부에서 전압을 걸어주면, 전자는 (+) 방향으로 이동한다.
그럼 반대로, Hole은 (-) 방향으로 이동한다.
이렇게 같은 현상을 전자와 Hole의 관점에서 두 가지 방식으로 표현할 수 있다!
그렇다면 당연하게도, 열 평형 상태에서 자유전자의 농도와 Hole의 농도는 같을 것이다.
이 때 자유전자의 농도는 n (negative), hole의 농도는 p (positive) 라는 기호로 표현한다.
열 평형 상태에서 n = p 로 표현할 수 있다.
또 여기서 중요한 개념이 나온다.
바로 Intrinsic carrier concentration (진성 캐리어 농도) 이다.
Carrier, 무엇인가를 "옮겨주는 것"을 뜻한다.
반도체에서의 carrier는 전하를 옮겨주는 매개, 즉, 전자와 정공(Hole)인 것이다.
이 진성 캐리어 농도는 단위 부피 당 공유 결합을 탈출한 전자의 개수를 의미한다.
단위 부피 당 개수이기 때문에 단위는 [cm^-3] 를 사용한다.
당연하게도, 온도가 높을 수록 더 많은 전자가 공유 결합에서 탈출한다.
온도가 높을 수록 진성 캐리어 농도가 높아진다는 소리다.
온도와 물질에 따라 이 진성 캐리어 농도의 값도 달라지는데, 모두 상수값이다.
위 그래프를 참고하면, 상온(300K)에서 실리콘의 진성 캐리어 농도 값은, 약 1.5 10^10 [cm^-3] 이다.
실리콘의 단위 부피 당 원자 개수가 5*10^22 [cm^-3] 임을 생각하면,
실리콘은 상대적으로 높은 전기저항도를 가지고 있다고도 여길 수 있겠다.
오늘은 이렇게 간단하게 실리콘의 전자와 정공, 그리고 캐리어에 대한 개념을 알아보았다.
이제 드디어 다음 글에서는 에너지 밴드를 언급할 수 있다!
(사실 오늘 하려고 했는데 조금 피곤해서 내일 해야겠다 ㅜㅜ)
그럼, 다음 글에서 To be continued...
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